- 徐朔
本文采用三种搅拌器在箱形泵混合式澄清器中,对N601从碱性铝液中萃取镓过程的分相和传质问题作了研究。该研究提供了降低有机相被夹带损失的方法、有机相为连续相的条件和各种搅拌器的输入功率与传质效率的关系;利用间歇式萃取器模拟连续多级萃取的方法研究液-液两相传质的问题;分析了影响澄清分相的因素,并得到了澄清室体积设计的经验方法。
1990年01期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 271k] - 李日辉,张碧田
本文介绍了采用铝粉作为除钒试剂的TiCl_4除钒新方法。在连续蒸馏的条件下,研究了除钒的工艺条件和残渣性质,选择合理的工艺流程,得到高纯的精TiCl_4产品。并探讨了制备低价钛浆液的影响因素,得到相应的数学模型。
1990年01期 7-9+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 664k] - 张德尧
本文介绍了粉冶纯钼棒精密锻造的初步结果。试验采用纯度为99.9％的纯钼烧结坯,在1300～780℃温度范围内进行精密锻造,制取φ32和φ42mm的棒材。结果表明:粉冶烧结纯钼坯的精密锻造加工性能良好。同时还探讨了影响精密锻造纯钼棒组织不均匀的因素。
1990年01期 10-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 632k] - 袁冠森,K.T.Hartwig
本文讨论纯铝在深低温4.2K下经受低周疲劳时,材料迅速强化、变形应力提高和剩余电阻率急剧上升等现象。提出了最大变形应力和剩余电阻率增量的经验公式,该公式能很好地符合实验结果。
1990年01期 13-15+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 185k] - 华寿美,张同根,李秀云
本文采用自由梁和悬臂梁声频弯曲共振自由衰减法测量Al-Zn合金的衰减系数δ,配备微机系统采集和处理数据,计算损耗因子θ~(-1)。测量结果表明Al-Zn共折合金的损耗因子在150℃以下随温度升高而增大;随频率降低而增大;在小振幅(10~(-6)～10~(-4)m)范围内随振幅变化不明显。并从合金组织结构因素分析讨论了Al-Zn共折合金热处理后的最佳阻尼性能和机械性能。
1990年01期 16-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 698k] - 贺从训,苏兰英
文章介绍用粉末冶金法制备的NbTi合金的组织结构和性能。该工艺制备的合金,材料实收率达80％以上。
1990年01期 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 349k] - 史慧明,孔令根
利用双波长K系数法,在表面活性剂CTMAB存在的0.2mol/L H_2SO_4介质中,以邻-硝基苯基荧光酮作显色剂,对Ge、Ti的同时测定进行了详细研究。本方法操作方便,计算简单,可用于合金钢中微量Ge、Ti的同时测定。
1990年01期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 173k] - 陈燕生,李秋生,王丛华,陈炳贤,高秀清
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈大热快比愈小,辐照施主峰愈大。
1990年01期 29-31+59页 [查看摘要][在线阅读][下载 170k] - 李伟,吕淑求
本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台”现象,并对辐照施主(ID)的产生机理和电学性能等给予了理论解释,对NTD CZ-Si应用于大规模、超大规模集成电路和半导体器件制作具有重要意义。
1990年01期 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k] - 孙钦华,王桂英
本文介绍了次氯酸锂的物理化学性质;次氯酸锂作为氧化剂在棉纺、地毯、造纸等工业上的应用实验效果,作为高效消毒剂在游泳池水净化消毒的实验效果;及与表面活性剂复配成洗消剂,对乙型肝炎病毒、微生物病菌的灭活实验效果,对餐具消毒、去污的实验效果。
1990年01期 35-40+72页 [查看摘要][在线阅读][下载 333k] - 贾厚生
间隙杂质(C、H、O、N)和微量元素对材料的组织和性能有很大的影响,多年来一直是材料科学工作者的重点研究课题。由于篇幅有限,且已有不少专著介绍这一课题,本文只就几个重点问题的近期研究结果作一介绍
1990年01期 41-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 621k] - 刘锡田
本文论述了近年来化合物半导体发光材料与器件工业生产和研究开发的现状及展望。Ⅲ-Ⅴ族材料中的红、绿、橙、黄可见光及近红外0.85～1.7μm波段从材料到器件已进行工业规模生产,日本仅可见光发光二极管管芯年产量为50亿支以上,近年来我国每年要花约300万美元进口,可见光LED管芯。文中讨论了可见光发光二极管国产化的关键问题。据推算1988年世界化合物半导体产量约40吨左右。Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族及其多元系列材料正在研究和开发中,文中予测了未来可能形成实际应用的某些发光材料以及当前各波段的发展趋势。
1990年01期 51-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 407k] - 章爱铀,李牟
<正> 铑广泛用于电镀、玻璃熔炼坩埚、人造纤维喷丝头、高温热坩埚、航空仪表等。铑的价格高,世界产量少,我国产量更少。随着科学技术的发展,如何处理回收工业废水、废液中的铑已成为人们所关注的课题。本文综述了几种回收铑的工艺,以益同行。 (一)离子交换 鲇(氵尺)信冢总结的工艺为:将镀铑水洗工序中流出的含铑废水通过强酸性阳离子交换树脂、弱酸性阳离子交换树脂的混合床,这时溶液中90％左右的铑被离子交换树
1990年01期 60-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 128k] - 刘润平
<正> 在表面活性剂存在下,三羟基荧光酮类试剂和锗的显色反应具有优异的性能,灵敏度高,选择性好,表现出良好的实际应用前景。 在研究邻氯苯基荧光酮(O-Cl-PF)和四价金属离子的显色反应性能后,观察到该试剂在阳离子表面活性剂存在下,和锗的反应灵敏度较其它的三羟基荧光酮类试剂更高,有可能提出简便、快速测定微量锗的新
1990年01期 62-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 212k] - 张贵珠,高志,何锡文,史慧明
<正> PADAT类染料是光度法测定Co、Pd的高灵敏显色剂。对于5-[(3’,5’-二溴-2’-吡定)-偶氮]-2,4-二氨基甲苯(简称3,5-diBr-PADAT)与Co、Pd的显色反应曾有人研究过,但钯对钴的测定干扰非常严重。本文利用Co、Pd显色条件的不同,采用差减法消除测钴时钯的干扰,研究了Co、Pd同时测定的各种实验条件。在本文拟定的条件下,钴和钯与试剂都形成蓝色配合物,选择591 nm作为测定波长,表观摩尔吸光系数ε_(Co)=1.35×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1),ε_(Pd)=
1990年01期 66-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 209k] - 马达弟,张修智
<正> 工业提纯Nb、Ta,一般在HF-H_2SO_4体系中进行萃取,使用的萃取剂有酮类、酯类、胺类、醇类。国外采用最多的是甲基异丁基酮(MIBK),国内多采用仲辛醇,这两种萃取剂各有利弊。 1981年以来,我们以湖北江汉油田高含硫石油副产品为原料,研制了多种石油亚砜。它们具有毒性低、挥发性和水溶性小、稳定性好、价格低廉等优点,是较为理想的工业萃取剂,已成功地用于多种贵金属元素
1990年01期 71-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 85k] -
<正> 本专利介绍了由ZrCl_4生产金属锆的一种方法。该方法包括:在带有底座的反应器中用熔融镁还原ZrCl_4,将还原反应中生成的MgCl_2从残留的镁及生成的锆中分离出来,再将金属锆块和金属镁于真空下蒸发,在温度低于150℃下,金属锆冷凝于反应器内侧,形成块状海绵物,然后从反应器中提出锆海绵块。 MgCl_2从反应器底部的垂直排出口分离出来,排出口的最低端固定于反应器底座的孔口上,排出口的上端比排出口周围金属块及浮于金属块上的
1990年01期 73-81+28-65+70页 [查看摘要][在线阅读][下载 599k] 下载本期数据