- 刘兴芝,宋玉林,马闯
研究了新型萃取剂二(2-乙基己基)单硫代磷酸(D_2EHMTPA)的纯化及其对多种多属离子的萃取性能。研究结果表明,它是分离 Co、Ni 和回收 In、Tl(Ⅰ)的高效萃取剂。
1993年03期 161-164页 [查看摘要][在线阅读][下载 154k] - 胡初潜
<正> 美国技术开发公司从集成电路的废料中回收镓和其它金属的方法,是将含有 GaAs 和 Ge 的集成电路碎片或切屑等半导体废料,在高于45℃下用含有细菌的培养介质浸出其中的镓和锗而加以回收和分离。浸出介质最好保持在62～72℃和 pH1.0～2.5的通风环境中,含有 ATCC53921的混合培养液特别适用于浸出镓。本工艺适合于从合金切屑中回收镓和锗。培养介
1993年03期 164页 [查看摘要][在线阅读][下载 38k] - 胡初潜
<正> 意大利威尼斯的威尼西亚大学化学系制备了一种含二吡啶羧酸功能团的螯合离子交换树脂和一种含氯络合的交键型聚苯乙烯-二乙烯苯(20%)的络合物。他们研究了在室温和离子强度恒定(u=1mol/L,KCl/HCl)的氯化物水溶液于交换柱中批量吸附Pd(Ⅱ)、Pt(Ⅱ)、Pt(Ⅳ)和 Au(Ⅲ)的吸附持性。在 pH=6的交换柱操作中,由于生成螯合物的稳定性不同而使 Pd(Ⅱ)从 Pt(Ⅱ)或 Pt(Ⅳ)中分离出来。
1993年03期 164页 [查看摘要][在线阅读][下载 38k] - 傅洵,辛惠蓁,傅有君,胡正水,牛增元,贾会兰
研究了 HDEHP 与 PSO 从盐酸介质中对 Mo(Ⅵ)的萃取和协同萃取,报道了萃取平衡表达式,并计算了表观萃取平衡常数。水相介质中 HCl 与 LiCl 总浓度小于4mol/L 时 HDEHP 萃取 Mo(Ⅵ)主要通过 MoO_2~(2+)与 H_2A_2的离子交换进行,MoO_2Cl~+的萃取可以忽略。导出的协萃方程仅适合于从3mol/L HCl 的水相介质中萃取 Mo(Ⅵ),协萃机理随试验条件的变化而变化。
1993年03期 165-168页 [查看摘要][在线阅读][下载 148k] - 胡初潜
<正> 环球联合石油公司从氟碳铈矿型精矿中回收稀土金属和钍的方法包括:(1)将精矿焙烧后接着用酸浸出;(2)将富含稀土元素的粉矿与≥10%的 SiO_2和H_2SO_4混合;(3)加热混合物(最好在150℃以上加热3h)以除去 SiF_4 型的易挥发物;(4)用水浸出残料以分离回收残渣中的稀土和钍。例如,氟碳铈矿型(含 Ce68.2%、ThO_20.165%、F9.6%)的富铈稀土精矿50磅同65磅 H_2SO_4和12.5
1993年03期 168页 [查看摘要][在线阅读][下载 35k] - 薛红,刘兴芝,宋玉林,吕晓姝
研究了用二(2-乙基己基)单硫代磷酸从硫酸介质中萃取钯。用连续变换法、斜率法及饱和容量法确定了萃合物中钯与萃取剂之比为1∶3,萃合物的组成为 Pd_4(HA_2)_6SO_4,并用 IR 和 H~1NMR 谱图讨论了萃取反应为阳离子交换-配位机理。
1993年03期 169-172页 [查看摘要][在线阅读][下载 133k] - 曾志龙
<正> 日本东京工业大学大学院的小田原修副教授等,采用在液氮浴中的钛压块的下部表面上加热着火,伴随向压块上方的反应传播而使气相成分及热也向压块上方移动的方法制成高纯氮化钛。该项新技术是将金属钛压块置于充填有液氮的反应器中,在钛压块的下部端面配置有耐热性导体,对导体通电,使压块的下部表面的一部分加热至1700℃以上而诱导压块与氮的燃烧反应,然后压块与氮开始相互作用,因燃烧产生的热而形成的2000℃以上的高温反应层以层状形式逐次向压块上方进行,从而制成高纯的氮化钛。新技术的特点是:1.由于从试料下部着火,控制了反应从试料下部向上部传播,使其与因发热反应而
1993年03期 172页 [查看摘要][在线阅读][下载 29k] - 赵由才,谢高阳,朱思三,顾翼东
将0.3～0.8mol/L Na_2WO_4溶液滴入2mol/L H_2SO_4或 HNO_3溶液中至 pH≤1(或0.02mol/LH_2SO_4及0.2mol/L HNO_3),即可得到易于沉降、过滤和洗涤的粉状白钨酸,沉淀率为100%。当Na_2WO_4溶液中的 P、As 或 Si(单独存在)小于30mg/L 或(P、As、Si)<30mg/L 时,所得白钨酸不含这三种杂质,这些杂质以十二钨杂多酸形式溶于水中。根据生成白钨酸的耗酸量、红外光谱、白钨酸易和 Na~+等阳离子交换的试验结果,认为刚生成的白钨酸为单聚钨酸,陈化时则聚合成多聚体。
1993年03期 173-177页 [查看摘要][在线阅读][下载 239k] - 胡初潜
<正> 法国 Extramt 公司国立应用化学研究所的钽、铌回收工艺是:将钽、铌矿石或废料用混有盐酸或硫酸的10～40%H_2SiF_6水溶液浸出后,所溶解的钽、铌由液-液萃取分离,从负载有机相中将钽、铌反萃入水相,再用碱沉淀,煅烧,用碳氯化除去欠稳定的杂质(特别是 SiO_2)。例如,将含13.6%Ta_2O_5和9.8%Nb_2O_5的熔炼锡
1993年03期 177页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] - 胡初潜
<正> 美国新墨西哥矿业学院材料冶金工程系用爆炸冲击热压法来快速固结钛合金粉。固结工艺中应用了圆筒式爆炸固结技术,并得到密度97～100%的坯块。使用双筒装置实现熔融区间内颗粒间的较好固结,并减少了断裂,所用双筒中的外筒可快速爆炸并冲击粉末容器。用光学显微术和 TEM 分析了坯块的微结构,粉末固结是由颗粒间熔化来实现的。试验观察到 Ti-662和 Ti-6242+1%Er 坯块中的网状和等轴微结构,Ti-6242+1%Er 坯块中有很细的Er_2O_3颗粒。固结产物的微结构硬度高于通常的粉末
1993年03期 177页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] - 林奋生
考察了含锗电解铁粉经 HCl、H_2SO_4、H_2O 处理自然氧化后,在氮气,空气,真空及强、弱还原气氛中锗的挥发性能。结果表明,在温度高于950℃的真空和弱还原性气氛中,锗能获得良好的挥发效果。而在同一温度下经不同介质处理自然氧化的铁粉,其锗的挥发效果顺序为 HCl>H_2SO_1>H_2O>不处理。用 H_2O 处理自然氧化的铁粉制成直径为10～15mm 的小球,在1050℃下进行锗的还原挥发,同样有良好的挥发效果。经比较,提出并选择了实现工业化的原则流程。
1993年03期 178-181页 [查看摘要][在线阅读][下载 172k] - 王淑芳,田俊英,邢金铭
研究了稀土元素(La~(3+))对胡萝卜愈伤组织生长、叶绿素积累、NO_3~-的吸收以及硝酸还原酶(NR)活性的影响,结果表明:LaCl_3在(10~5～10~2%)范围内对愈伤组织生长有促进作用,10~3%尤为明显。这种生长的促进伴随着发生 NR 活性提高,叶绿素含量增多,生长稳定期推迟。
1993年03期 182-184页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k] - 曾志龙
<正> 日本能源—产业技术综合开发机构(NEDO)最近使用15Cm 见方的多晶硅基片使太阳电池的光电变换效率达到16.4%,为世界上最高值。NEDO 开发太阳电池,是以提高效率、降低原料硅的制造技术成本、通过电池的大面积化而确保等级标准等为目标。太阳电池的组件,目前以10Cm 见方型为实用化主流。NEDO 通过使其进一步大型化,推进引出大面积化的等级标准以降低成本。15Cm 见方的太阳电池与10Cm 见方的相比,其面
1993年03期 184页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k] - 杨宝钧,关郑平,吕有明
在77K 下用氮分子激光器的337.1nm 谱线激发常压 MOCVD 法生长的 ZnTe 外延膜得到了与自由激子有关的发射。在不同衬底 CaF_2、BaF_2及 GaAs 上其同一机理发光的峰值位置不同,被归结为弹性应力及热力的影响。
1993年03期 185-188页 [查看摘要][在线阅读][下载 151k] - 张宝林,周天明,金亿鑫,蒋红,宁永强
用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5<x<0.96)三元合金,研究了生长温度、反应室中气相组分 x(?)、气相 Ⅲ/Ⅴ 比对 GaInSb 固相组分 x 的影响。结果表明。GaInSb 合金固相组分随生长温度的变化是由气相中 TMGa 的热解率随生长温度的变化决定的,非掺 GaInSb 外延层为 p 型,霍尔迁移率为377cm~2/V.s,相应载流子浓度为5×10~(16)cm~(-3)
1993年03期 189-191页 [查看摘要][在线阅读][下载 120k] - 黄柏标,刘士文,徐现刚,任红文,蒋民华
分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3~-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。
1993年03期 192-195页 [查看摘要][在线阅读][下载 210k] - 傅作义,王金友
研究了 Ti-1023合金在β相区加热锻造时,最终火次的变形温度和变形量对组织和性能的影响。试验结果表明:在β相区加热锻造,配以α+β两相区加热和一定程度的变形量〔β+(α+β)工艺〕得到的组织与性能最佳,是目前推荐的主导热变形工艺。但配以β相区加热变形(双β工艺),当变形量小时,组织保留了β晶界痕迹,塑性偏低。当变形量大时,除纵、横向塑性(L-T、T-L 方向)的断裂韧度差值大以外,还在低倍组织上易出现亮晶条带。因此为不可推荐的工艺。
1993年03期 196-200页 [查看摘要][在线阅读][下载 1059k] - 曾志龙
<正> 日本新技术事业团委托给东京钨公司开发的“钨单晶体的制造技术”已获成功。单晶体在3380℃下热膨胀低,可望用于激光反射镜等方面,目前已确立了可获得平坦平面的大型结晶的大批量生产技术,在世界上首次达到实用规模。钨在高温下具有优良的强度及耐久性,但多晶钨因晶界的存在而变脆,难以制得平坦的平面。因此也尝试过采用高频或电子束熔融、冷却的方法使其单晶化,但在成本以及单晶体的大小上有限度,因而作为
1993年03期 200页 [查看摘要][在线阅读][下载 144k] - 曾志龙
<正> 含锂的铝合金因轻量且具有良好的断裂韧性,作为飞机用结构材料正引人注目。但与传统的2024.7075合金一样,为获得高强度需从固溶化处理温度下进行水冷等急冷,这容易使材料产生断裂变形,从而需要矫正等工序。为克服以上问题,宇野照生等发明了可获得高强度的淬火性优良的 Al-Cu-Mg-Li 系铝合金材料的制造方法,其工艺过程如下:将合金组分(0.5～3.0wt%cu、0.5～4.0Wt%Mg、1.0～4.0Wt%Li,其余为 Al 以及不可避免的杂质 Si.Fe.Ti.B.Be)在氩气中熔化、铸造,将铸锭在氩气中于520℃下进行8h 的均质化处理后,热轧至厚为 6mm。
1993年03期 200页 [查看摘要][在线阅读][下载 144k] - 曹明中,周日阳,段永恒,马礼敦,黄杰生,汪根时
用扩展 X 射线吸收限精细结构(EXAFS)研究了晶态、非晶态 Ti_2Cu_(0.8)Ni_(0.2)合金及其氢化物的结构。根据 Cu Ka 吸收限的 EXAFS 数据,计算了这些样品中铜原子最近邻原子壳层的径向距离 r、配位数 N 和 Debye-Waller 因子σ;讨论了氢原子进入点阵间隙后对 r、N、σ 的影响;分析了氢原子在晶态、非晶态合金中存在的间隙位置。此外,对该合金的高吸氢量也作了定性的解释。
1993年03期 201-204页 [查看摘要][在线阅读][下载 159k] - 赵谢群
<正> 日本学者用氯化物单平台温度层(SFT)法成功地气相外延制成了 InGaAsP 薄膜。此法具有较高的组份控制能力和重复性。文章列出了 InGaAsP 外延层的基本参数,生长动力学、光学和电学性质参数。指出,In-GaAsP 外延生长同其它Ⅲ—Ⅴ族合金一样,缓慢的动力学过程控制着外延生长速度。另外还制成了一个
1993年03期 204页 [查看摘要][在线阅读][下载 37k] - 赵谢群
<正> 日本科研人首次用常压原子层外延法(ALE)以锌和 HzS 制备出 ZnS 外延层,并证明了外延生长速率由自限制工艺本身控制。ZnS 的 ALE 生长是在基本温度为350～500℃的条件下实现的。输入气体的锌分压为2.6×10~(-6)～9.1×~(-5)atm,硫分压为2×10~(-4)～2.4×10~(-3)atm。外延层晶格参数及半高宽数值由×射线双晶
1993年03期 204页 [查看摘要][在线阅读][下载 37k] - 徐振声,宫波,张彩碚,赖祖涵
利用程序控制电子拉伸试验机在1073～1173K 范围内,测定了氢对 TC4 钛合金的拉伸应力、应变速率敏感指数,延伸率影响的特性曲线。并通过光学显微镜和电子显微镜以及 X 射线衍射仪对其组织结构进行了观察研究。结果表明:在高温条件下,适量的氢对 TC4 钛合金具有减小流变应力、降低软化温度和提高塑性的作用。
1993年03期 205-208页 [查看摘要][在线阅读][下载 512k] - 赵谢群
<正> 研究了 H、O 等残留杂质对低压 MOCVD 法制备的掺锌 In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P 中锌元素电活性的影响。具有 p 型顶层的掺锌 InGaAsP 中锌电活性相当低而氢浓度浓效高。在具有 n 型顶层的掺锌 InGaAsP 中锌的电活性相当高且没有检测出氢。在具有 p 型顶层的 In-GaAsP 中锌受主可能被氢钝化了。InGaAsP 中的氧浓度强烈依赖于铝组份,当 x>0.4时,氧浓度突然升
1993年03期 208页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] - 赵谢群
<正> 研究了低压 OMVPE 法 InGaAsP(λ=1.3μm)选择区域生长,并将它与 InP、InGaAs 和 InGaP 的选择生长特性进行了比较,发现在三种合金中,铟成份的增加伴随着条形开中宽度的减小。InGaAsP、InGaAs 和InGaP 三者生长速率增加的情形相似,而 TnP 则略高些。在 InP、InGaAsP 处延层中可观察到条形开口边缘
1993年03期 208页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] - 赵谢群
<正> 用扫描遂穿显微镜(STM)研究了用于 MBE 生长的 CdTe 基底表面,发现其表面不平整度取决于不同的表面制备步骤。机械抛光试样的表面粗糙度大约为100nm,这是由抛光粉决定的。用化学-机械抛光法制备的样品表面粗糙度下降至60nm。经腐蚀抛光后的
1993年03期 208页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] - 赵连城
介绍了近年来新型形状记忆合金研究和发展概况,主要包括 Ni-Ti-Nb 系宽滞后形状记忆合金;Ti-Pt、Ti-Pd 系高温形状记忆合金;Ti-V-Al 和 Ti-Mo-Al 系轻型形状记忆合金以及 Fe-Mn-si-Cr(Ni、Co)铁基形状记忆合金等。
1993年03期 209-212页 [查看摘要][在线阅读][下载 229k] - 董桑林
综述了各种钛基复合材料的制备工艺、机械性能及其应用;展望了钛基复合材料的发展前景,建议大力开展对钛基复合材料的研究。
1993年03期 213-217页 [查看摘要][在线阅读][下载 282k] - 窦健敏
<正> 日本尼崎大阪公司研制了一种用高频加热和气体雾化方法使钛粒子细化的工艺方法。这种工艺方法生产的钛粒子尺寸是用普通方法生产钛粒子尺寸的1/5,而费用只花了一半。该工艺方法是将钛棒缓慢地通过高频感应线圈,使之熔化。用14.7～29.4Mpa 压力的氩气流雾化钛金属液滴。经过雾化和固化的钛成为质量优良的钛粉。所获得钛粉的粒径最小、平均、最大分别为45、50、
1993年03期 217页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k] - 窦健敏
<正> 美国磁性材料总公司和美国能源部门的阿尔贡国家实验室联合研制生产了一种实用长度的高温超导丝。该超导丝可以加工成为磁性线圈或应用在其他方面。阿尔贡实验室提供了该超导丝所使用的 Bi-Sr-Cu 氧化物粉末。美国材料总公司将 Bi-Sr-Cu 氧化物粉末在银管中封装,并将其挤压成单股和多股芯线。利
1993年03期 217页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k] - 窦健敏
<正> 美国纽约洲 Blasch 精密陶瓷公司研制出一种新的工业性生产耐高温、耐腐蚀的陶瓷构件的新工艺方法。这种具有专利权的注模法可以制备出边缘完好、形状复杂、大或小型陶瓷构件,同时,不用机加工就可获得标准公差为±0.025mm/总长(mm)的精度。内部互相联结的孔隙尺寸可以得到控制,并且孔隙率可达
1993年03期 217页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k] - 邓国珠
对去除 TiCl_1中钒杂质的四种主要的工业方法即铜除钒法、铝粉除钒法、硫化氢除钒法以及有机物除钒法进行了概述、比较和评价。
1993年03期 218-223页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k] - 窦健敏
<正> 美国弗吉尼亚洲 Fiarfax 的大西洋研究公司和美国明尼苏达洲安多弗的工业材料技术公司正在研制用于涡轮发动机和航空飞行器构件的钛基复合材料。众所周知的大西洋 IMT 公司合资产业正在研制环形和柱形压缩机、发动机和超高速飞行器的机身结构。大西洋研究公司的先进材料部门在金属基、陶瓷基材料和三维编织结构材料基复合材料进行了专门
1993年03期 223页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k] - 窦健敏
<正> 日本大阪大学基础工程学院研制成功一种具有19.1%高转换效率的 4mm~2的非晶硅太阳电池。新的太阳电池为不同材料连接型的串联结构的电池(碳化硅和多晶硅在下面的非晶硅太阳电池上沉积)。新电池有四个接点用来有效地吸收不同波长的光,并且能将许多光子导向下面的电池而实现高效率。研究者们用等离子化学气相沉积方法在近似250℃低温下产生太阳电池。晶体硅在下面的多晶衬
1993年03期 223页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k] - 任铁梅
<正> 一、前言高温超导材料自1986年问世到现在,短短的五年中取得了累累硕果。高温超导文献数量急增。有关高温超导物质、制备方法与设备、应用等方面的专利数量也迅速增加。专利文献(本文中专指专利说明书)以其独有的特点,在高温超导的研究开发中占有重要的地位。高温超导专利文献具有所有专利文献的共同点,专利的技术内容能及时反映出世界水平与动向,对高温超导专利文献进行情报分析,可以揭示技术的发展趋势。
1993年03期 224-228页 [查看摘要][在线阅读][下载 239k] - 曾志龙
<正> 日本神户制钢所、住友金属工业、三菱材料三家公司开发成功一种比传统的钛合金强度高、轻量化的新型β钛合金,已备齐作为飞机零件的供应工作。这种β钛合金除了85%的β钛外。还混合有10%的钒、2%的铁以及3%的铝。三菱重工业公司已用β钛合金试制了飞机的舱壁
1993年03期 228页 [查看摘要][在线阅读][下载 39k] - 窦健敏
<正> 目本东京技术研究院工程学院的研究人员研制出一种非电解铜涂覆陶瓷的新方法。这种方法使涂层与陶瓷板之间产生很高的粘结力。因此适宜制备高密度的印刷电路板。该种工艺方法为:用雾化方法在电路板上沉积一种氧化锌薄膜,然后在其上电镀一种没有腐蚀的高质量的铜膜。常规的工艺方法在预处理的过程中就有腐蚀现象产生,导致陶瓷板表面涂层不均匀,因此不适宜细丝的涂覆。新的工艺方法可以对几微米细的丝进行涂覆。但是,新方法限制电路板的宽度只为10μm,否则
1993年03期 228页 [查看摘要][在线阅读][下载 39k] - 程杏梅,阎渊林
<正> 我国从事钛合金的研究已有30余年的历史,但钛合金精密铸件从研制到生产从而转向出口却是近几年的事。1989年3月我所与联邦德国钛铝公司签订了 TO5770合同,规定该公司向我所订购钛合金转接座零件。这批出口的钛合金零件的特点是铸件质量要求高、交贷期短。众所周知,钛合金的精密铸造远比其它金属精铸工序多、周期长,我所仅用三个月的时间就完成了这批出口任务,这是钛合金精密铸件的首批创汇产品。它将为我国的钛合金精密铸件走上国际市场打下良好基础。
1993年03期 229-231页 [查看摘要][在线阅读][下载 460k] - 胡初潜
<正> 美国专利4910171号报道,沃塔纳比等人用混合粉末经烧结而制得了一种钛、铪的碳化物-硼化物金属基陶瓷烧结体,可用作切削刀具和机械零件。这种陶瓷烧结体的主要组成是:①按 Ti∶Hf(原子比)=99∶1到1∶99制得的钛、铪的碳化物固溶体;②从TiB_2、CrB_2、MnB_2、MoB_2、TaB_2、VB_2、NbB_2、HfB_2、AlB_2、ZrB_2、W_2B_5和 Mo_2B_5中选择的至少一种硼化物,占5～
1993年03期 231页 [查看摘要][在线阅读][下载 202k] - 阎军,姚家瑜
<正> 对稀土元素与变色酸双偶氮类试剂的共显色反应已引起人们的注意,到目前为止,已作了不少研究,发现稀土元素与变色酸双偶氮类试剂不仅能发生共显色反应,而且能发生β型共显色反应。共显色反应在一定条件下能提高反应的灵敏度和选择性。但是这方面的报道仍然不多。本文研究了新的 Sc(Ⅲ)-Y(Ⅲ)-对碘偶氮氯膦(CPA-pI)共显色体系,探索了不同重稀土共存时与显色剂的反应特性和共显色反应的最佳条件,并初步用于合成试样的分析,结果满意。
1993年03期 232-235页 [查看摘要][在线阅读][下载 156k] - 杨素丽
<正> 美国 Cyprus Minerals 公司年产钼5900万磅,11月4日宣布暂时关闭爱达荷州顿普逊·库里尔矿山。该矿山钼年产能力1800万磅,1992年生产钼300～400万磅。该公司还于1991年1月关闭了 Tonopa 矿山,该矿年产量为1000～1400万磅。全世界钼产量将降低10%。1989年 MoO_3的平均价格为3.39美元/磅,1991年为2.38美元/磅,1992年则为2.28美元/磅,这相当于20年前的水平(1974年钼的价格为1.97～2.02
1993年03期 235页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] - 杨素丽
<正> 1990年钛加工材生产9000t,相当于40年前不锈钢的产量。1991年的市场情况为:不锈钢轧制品280万吨,铝加工材230万吨,海绵钛只占它们的1%,为2～3万吨。如以1991年为基数,年增长率按4.4%计算,预测到2001年日本的钛加工材可达13000t。按此速度增长,到2010年将达2万吨加工材。其中建材应用比1992年增长7.5倍,汽车工业应用增长3倍。飞机工业增长2倍,化学工业增长1.4倍,电力等工业增
1993年03期 235页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] - 杨素丽
<正> 为了降低海绵钛的价格,采用了连续法熔炼钛。日本的3个钛治炼厂联合进行实用化开发。反应器中TiCl_4被镁还原,在反应器内流动,金属钛粒表面发生还原反应。金属钛粒连续流出。因为是汽相法,流出的钛很细,这是一个值得讨论的问题,尚待改进。到1994年能否实现新治炼法,还存在诸多问题。1960年曾试验过电解法,但未成功。
1993年03期 235页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] - 高凤升,龚秀英
<正> 近十年来,随着红外探测器、激光器、光电管、太阳能电池、微波管、高速器件、传感器件等的发展、半导体材料的研究重点也逐渐由二元化合物转为三元和四元混晶体系。HgTe 的禁带宽度为0.02eV,而 ZnS 的禁带宽度为3.66eV,其相应的发光波长分别为62μm 和0.33μm,可见Ⅱ-Ⅵ 族化合物覆盖的波段范围较 Ⅲ-Ⅴ 族要宽得多。特别是在8μm以上的远红外区,Ⅲ一Ⅴ族化合物是不适用的,而Ⅱ-Ⅵ族化合物却有着独特的优越性。近年,
1993年03期 236-240页 [查看摘要][在线阅读][下载 209k] - 赵谢群
<正> 日本研究人员用 SEM 与 TEM 详细研究了低压OMVPE 法 GaAs 外延层的表面缺陷。外延层生长以GaAs 为基底,方向(100)±0.5°,生长温度630～650℃,Ⅴ/Ⅲ约20～100,生长压力0.1～76Torr 文章用 SEM 与 TEM 详细观测了表面缺陷的形状和内部构造。研究发现,低压 OMVPE 法 GaAs 外延层表面分布着从表面凸起的椭圆锥形缺陷,与氯化物 VPE 法GaAs 外延层表面的小丘类似。而且,在每个缺陷中心附近存在一个位错。这一现象表明,具有旋转成分的位错终端的缧旋生长导致了椭圆锥形表面缺陷的形
1993年03期 240页 [查看摘要][在线阅读][下载 43k] - 杨素丽
<正> Al-Li 合金(含锂2～4%)将像锂电池一样是锂的大市场之一。欧美在民用飞机上采用 Al-Li 合金。日本官民结合共同开发 Al-Li 合金,以实现汽车、新干线高速火车等运输机械轻量化。欧洲空中客车公司计划在A33D 和 A340上大量使用 Al-Li 合金。美国铝业公司将2029Al-Li 合金薄板、厚板用于一部分机翼上,一架飞机的使用量可达650Kg。波音公司777客机已进入设计最终阶段,预定第一架将于1995年5月移交给美国联合航空公司,该机将使用 Al-Li 合金。
1993年03期 241页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] - 杨素丽
<正> 1991年世界 Al-Li 合金共消费50万磅(220t),销售金额为1000万美元(12.5亿日元)Al-Li 合金市场局限于欧美。根据美国 Consultant 公司资料介绍,Al-Li合金价格随使用形状的不同差别很大,变化范围为8～100美元/磅。板材比一般铝合金贵3倍。但预测今后10年内挤压材将降至10美元/磅,消费量可达900
1993年03期 241页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k] <正> 第三届全国矿物 X 射线晶体学和多晶 X 射线学术会议于1992年9月20日在湖南省武陵源索溪峪召开。来自全国各高等院校、各部委、省市研究院所、中国科学院有关研究所、有关出版刊物编辑部及国内外生产厂商的正式代表93人出席了会议。会议入选论文共184篇。与会代表在 X 射线衍射的基本理论与方法、矿物、材料、中药、计算机应用、单晶结构、测试方法、仪器研制与改造等方面开展了热烈的讨论。并且,为了适应科技体制的深入改革,提出了今后工作的若干建设性意见。
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