- 邸毓莹,李景凡,张玲,黄春祥,应铁如
为给钨丝的掺杂元素钾均匀分布创造条件,以改善灯用钨丝质量,作者研究了比表面大、对钾具有强吸附力、活性高的铵钨青铜型蓝钨的制取工艺。试验确定了制取铵钨青铜的适宜原料为五水仲钨酸铵。研究了反应温度、反应气氛、气氛湿度等对铵钨青铜性能的影响,为铵钨青铜的工业生产提供了依据。
1985年04期 2-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 1221k] - 马恩新,严小敏,袁承业,熊芳仪,李梅英
<正> 一、前言攀枝花铁精矿电炉熔分渣中富集的有价金属钒、钛、铬的回收是一个重要的课题。用常规钠化氧化焙烧、水浸、沉钒工序制得的V_2O_5,收率为81%,提钒后的渣钛酸解率低,因此不是理想的提钛原料。如果采用硫酸直接酸溶,钛酸解率是85～90%,钒酸解率为85
1985年04期 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 193k] - 何寿椿,周维金,王维奇
<正> 一、前言贵金属的分离和提纯已有许多成功的研究,但目前应用于生产的还多以沉淀法为主。此种流程操作程序冗长复杂,分离效率不高,产品很难达到高纯标准。其中铑、铱由于化学性质的相似性,互相分离难度较大。为了寻找新的更有效的分离方法,国内外进行了许多研究工作,认为可以改善分离效果的主要是溶剂萃取法和离子交换法。利用铑
1985年04期 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 169k] - 张树勅,曲竞赛,傅一凡,韩铁伟
<正> 一、前言七十年代末期,国际上大型 CZ 单晶炉向采用软轴方向发展。软轴单晶炉以运动平稳,投资较少,维修容易等优点得到广大用户的关注。为了满足我国半导体事业的需要,1980年我们学院决定研制我国第一台软轴(TDR-50型)单晶炉。当时国内没有软籽晶轴炉型,缺乏必要的软轴拉晶工艺实践和软轴单晶炉资料。为了认识软轴拉晶规律,验证 TDR-50型单晶炉的机械和电控方
1985年04期 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 517k] - 陈坚邦,张国利
<正> 一、引言近年来,在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件领域中,高速集成电路、双异质结半导体激光器、光集成器件等,在微波、光通讯和第五代电子计算机等方面,都起到相当重要的作用,受到人们的高度重视。发展这些器件,无疑要有较完备的外延生长工艺,能生长出均匀的优质外延层,甚至能精确控制生长出几百埃的均匀多层结构,而且还要有完整的单晶衬底材料。这是制备优质的外延层,从而得出高性能、长寿命半导体器件的
1985年04期 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 637k] - 谢书银
<正> 一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的热处理过程中,产生堆垛层错、位错环和硅氧沉淀等缺陷。另一方面,氧化物沉淀引入的位错对表面沾污有本征吸杂的作用。因此硅中氧浓度是单晶质量的重要标志。一般直拉硅单晶中的氧浓度都超过1×10~(18)原子/厘米~3,而且单晶头部含量高于尾部。纵向
1985年04期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k] - 王桂生,张兆岑,张启海,卞学林,刘洪涛,戴华,邱广慎
本文介绍了等温退火、双重退火、淬火时效三种热处理制度对 TC6钛合金棒材全面性能的影响,提供了三种状态的透射电镜照片。
1985年04期 27-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 905k] - 何炯奎
本文根据锂的选矿试验和生产实践资料,扼要地阐述了低品位锂辉石矿石的选别流程、工艺技术条件以及工业生产中有关工艺过程的控制问题。
1985年04期 35-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 311k] - 何万年
<正> 一、前言金属铌不仅熔点高,而且还具有强度高、延性好、冷加工及焊接性能好,抗腐蚀性能强等优点,它作为钢铁材料的合金元素被工业上所利用。在钢中添加铌后,由于可进一步控制含碳量,使晶粒细化,改善晶粒结构,增加钢的强度,同时还可以防止奥氏体系不锈钢的粒间腐蚀,铌与钢中的碳(氮)相
1985年04期 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 170k] - 黄爱琴,李国斌
<正> 一、前言“蓝色氧化钨”具有活性好、比表面大、利于掺杂等特性。因此,它是制取抗高温下垂性掺杂钨粉的重要原料。所谓“蓝色氧化钨”系指 WO_(2.90)、W_(20)O_(58)以及(NH_4)_x·WO_3·(H_2O)_y 等多种混合态氧化物之统称,它系 APT 热分解产物。该分解过程是复杂的,其产物的组成、物相结构受多因素影响。虽有不少学者对此进行了大量的理论研究,但迄今尚无定
1985年04期 45-47+61页 [查看摘要][在线阅读][下载 359k] - 汪珂
本文是在镁法炼钛传统工艺与还原蒸馏联合法及镁循环热平衡计算的基础上,对比分析不同工艺过程能耗、镁量分布,定量地指出还原蒸馏节能潜力,以论证实现联合法及镁循环对海绵钛生产节能的必要性。
1985年04期 48-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 225k] - 杨国涛
求出了平整单晶试样反射式电子衍射斑点 y 轴向(垂直入射电子束及试样照射面与底片的交线)长度△R_y 的表达式,并据此对衍射斑的形状、线度、实验中照射角α的选择等进行了讨论。
1985年04期 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 343k] - 杨瑞祥
<正> 一、前言所谓全息照相,就是以干涉条纹的形式将物体波的振幅、位相变化全部记录在照像底板上。由于全息干涉技术能用非接触的方法检测部件,且不受部件的形状和表面的粗糙程度的限制,从而广泛地用到无损检测工作中来。随着宇航事业的飞速发展,使用钛和钛
1985年04期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 799k] - 肖文至
<正> 一、前言本文提出了一个由钽粉松装密度和电性检验条件计算比电容的经验公式,并讨论了利用该公式预测钽粉比容、对比烧结温度和设计钽电容器阳极诸问题。公式可适用于各种工艺生产的不同比容范围的钽粉,其计算误差一般不超过10%。
1985年04期 62-65+96页 [查看摘要][在线阅读][下载 226k] - 田民波
本文综述了精密陶瓷功能材料的应用及发展前景。较为系统地分别介绍了高热导、高强度、高韧性、微电子、光电子、探测器件、催化能源等各种不同用途的精密陶瓷功能材料。
1985年04期 66-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 370k] - 潘裕祥
<正> 一、前言西门子法制取高纯硅的技术出现以来发展很快,60年代中期到现在该法在生产纯硅领域里一直占据着统治地位,所生产的纯硅从质量到数量都能适应半导体器件发展的需要。随着半导体器件的发展,硅材料的需要量迅速地增长,从60年代起高纯硅的增长率几乎一直高达15%以上,1973和1981年出现过二次高峰,1983年世界多晶硅产量已超过
1985年04期 72-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 229k] - 钟俊辉
<正> 铌是高熔点的金属,是重要的合金钢添加剂。它具有抗高温、耐腐蚀和低温超导等一系列优良特性,广泛应用在冶金、化工、电子和宇航等尖端技术部门。六十年代以来,随着微合金钢的开发,铌的用量迅速增大,越来越受到人们的重视,铌的应用不断取得新的进展。
1985年04期 76-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 169k] - 唐秀玲
<正> 概述本文介绍了用控制气氛光谱法直接测定氧化铽中十四个稀土杂质。使用 PGS-2二米平面光栅摄谱仪,直流电弧阳极激发;氩、氧保护,进行了分析线对的选择和缓冲剂石墨粉的比例实验。用正交设计方法确定了电极形状、电流强度、狭缝宽度和爆光时间的最佳条件。方法测定下限为3～50ppm。总和为448ppm。变异系数为5～13%。加料回
1985年04期 79-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k] - 许敬英
<正> 一、前言本文根据镁合金的特点,制定出原子吸收分光光度法,采用空气-乙炔火焰直接测定镁合金中银。实验结果表明:本方法准确可靠、简单易行、经济实用,再现性好,共存元素不干扰银的测定、能适用镁合金中3%以下银的测定。
1985年04期 81-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 117k] - 李慧君
<正> 钛合金的相变点,是钛合金研制和生产的重要的工艺参数。测定钛合金的相变点,工厂以往用繁复的金相法。通过我们的实践表明,改用电阻法,由电阻～温度关系曲线的极值点来确定相变点,准确度高,经济、简便可行,因而获得广泛推广应用。电阻法测定相变点的试样是用一根棒状试样,规格为φ3×80(毫米)。取自热锻后状态,热锻温度为1000℃左右,第二、三次
1985年04期 84页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k] -
<正> 由北京有色金属研究总院周云鹿等七人和中国科学院原子核研究所活化组章家鼎等全组共同研究成功半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法。该方法适用于单晶硅、多晶硅中金属杂质元素和非金属元素的测定。测定方法包括:16个杂质元素的堆中子活化
1985年04期 85-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 158k] <正> 由中国有色金属工业总公司召开的全国有色金属工业工作会议于1985年2月26日在京召开。邱纯甫董事长主持了这次会议,费子文总经理作了工作报告。出席这次会议的
1985年04期 87-89页 [查看摘要][在线阅读][下载 172k] -
<正> 据报道:美国 TAFA 公司研制了一种独特的Zn～Al 合金用以改进防蚀。实验室试验和现场实用评定证实合金的热喷涂同锌、铝二者的防蚀特性相结合。含85%Zn 和15%Al 的合金系以1/16英寸的线材而生产的,使其适合在电弧喷射枪上使用。经电子显微镜和电化学分析指出合金的这种性能是由于在热喷涂中遍及于整个涂层的两相结构的组成所致。一种含55%Al 的富铝相具有高钝性和抗蚀性,
1985年04期 89-90页 [查看摘要][在线阅读][下载 99k] <正> 日本信州大学工学院远藤教授和信越化学有限公司共同研究了一种用烷基氢化聚硅烷、四甲基二硅烷(TMDS)中的一种来生产β-SiC 微粒的方法。直到目前,碳化硅微粒的生产仅限于用物理方法。而由远藤教授等研制的该工艺是第一个用化学合成法生产碳化硅产品。该方法的工序如下:首先,H_2 或 N_2通过调温
1985年04期 90-92页 [查看摘要][在线阅读][下载 153k] -
<正> 自调节热电致冷器是一种自稳定装置,其自动调节的机构系借助于超导状态的转变。这种机构由两种与材料组成。超导材料的一种(Nb_3Sn)具有比另一种超导材料(Nb_3Ge)较低的转变温度,并与所要求的致冷机的温度相当。在较低转变温度下,材料连续工作,以便维持该温度。两种超导材料的连接,在电学上为串联形式,在热电连接上与普通冷端并联,并通以直流电。当超导材料中仅有一种处于超导状态时,装置作为热电致冷器冷却冷端。当两种材料都处于超导状态
1985年04期 93-96页 [查看摘要][在线阅读][下载 207k] 下载本期数据